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原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家

美國(guó)Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接,既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行,也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng),既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時(shí)間:2024-12-20
美國(guó)Trion 等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)
minilock-orion iii是一套最先進(jìn)的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據(jù)電極配置,可以處理單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、無(wú)定形硅和碳化硅。
更新時(shí)間:2024-12-20
代爾塔405321新雪麗防寒服PVC涂層HA0302015
型號(hào):新雪麗 (405321) 歐款pvc涂層滌綸防寒工作服;內(nèi)部襯里為3m thinsulatetm 填充物,帶拉鏈,襯里可拆卸。帽子固定,可折疊到衣領(lǐng)中,
更新時(shí)間:2024-12-16
全自動(dòng)凝膠成像分析系統(tǒng) 凝膠沉降系統(tǒng)
專(zhuān)業(yè)定制的高頻電子控制紫外光源,光照均勻,無(wú)閃爍,延長(zhǎng)燈管壽命全電腦控制所有操作過(guò)程,高度程序化(電腦控制暗箱電源/紫外1、2及白光燈的開(kāi)關(guān)/光圈/變焦/焦距)
更新時(shí)間:2024-12-13
日本Microphase 原子層沉積系統(tǒng)
日本microphase 原子層沉積系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-10
Beneq Genesis ALD原子層沉積系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-10
Beneq TFS 200原子沉積系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-10
Beneq P400A & P800 原子層沉積系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-10
Beneq Transform® 沉積系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-12-10
PICOSUN®R-200高級(jí)
picosun®r-200 advanced ald系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如ic組件,mems器件,顯示器,led,激光和3d對(duì)象,例如透鏡,光學(xué)器件,珠寶,硬幣和醫(yī)療植入物。
更新時(shí)間:2024-08-26
PICOSUN®P-300B原子層沉積
picosun®p-300b ald系統(tǒng)是專(zhuān)為生產(chǎn)mems設(shè)備(例如打印頭,傳感器和麥克風(fēng))以及各種3d物品(例如機(jī)械零件,玻璃或金屬薄板,硬幣,手表零件和珠寶,鏡片,光學(xué)器件以及醫(yī)療設(shè)備和植入物。
更新時(shí)間:2024-08-26
PICOSUN®R-200高級(jí)ALD鍍膜設(shè)備
picosun獨(dú)特的突破性ald專(zhuān)業(yè)知識(shí)可追溯到ald技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ald方法,并在工業(yè)上獲得了。在高質(zhì)量ald系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
更新時(shí)間:2024-08-26
NLD-3500 (M) ALD原子層沉積系統(tǒng)
nld-3500(m)原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)
nld-3000原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2024-03-28
NMC-3000 MOCVD金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
nano-master針對(duì)ingan及algan沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(pa-mocvd),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的rf射頻等離子源以及工藝終端的n2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無(wú)油真空泵(5 x 10-7torr極限真空)、pc全自動(dòng)控制,完全的安全互鎖。
更新時(shí)間:2024-03-28
光學(xué)元件原子級(jí)涂覆系統(tǒng)
nano-master(那諾-馬斯特)noc-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供最先進(jìn)的技術(shù),系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也可以支持其中任一個(gè)腔體的單獨(dú)使用,同時(shí)具備各自的自動(dòng)上/下載片功能。在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光,然后把樣片傳送到第二級(jí)腔體中對(duì)同一樣片進(jìn)行表面涂覆,整個(gè)過(guò)程不間斷真空。
更新時(shí)間:2024-03-28
NTE-4000 (A) 全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)
nte-4000(a)全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)概述:nano-master nte-4000是一款pc計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng),在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)非常慎重的考慮:在小的占地面積情況下實(shí)現(xiàn)干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝過(guò)程。它們具有低價(jià)格, 高性能以及高能力的特點(diǎn),可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用要求。 nte-4000熱蒸發(fā)系統(tǒng)可以在設(shè)定的rms電流下,或者在閉環(huán)的配置下操作,并且在這種情況下沉積速度的變化被用于調(diào)節(jié)rms電流以維持恒定的沉積速度。
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-3500 (A) 全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)
nld-3500(a)全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2024-03-28
NPE-4000 (ICPM) 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
npe-4000(icpm)icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無(wú)二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-4000(ICPM)PEALD原子層沉積系統(tǒng)
nld-4000(icpm)peald系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2024-03-28
NPE-4000 (ICPA) 全自動(dòng)等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
npe-4000(icpa)全自動(dòng)icpecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無(wú)二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2024-03-28
NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
npe-3500 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無(wú)二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2024-03-28
NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
npe-3000 pecvd等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)mfc.帶有獨(dú)一無(wú)二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-4000 (ICPA) PEALD系統(tǒng)
nld-4000(icpa)全自動(dòng)peald系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-4000 (A) ALD全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)
nld-4000(a)全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
更新時(shí)間:2024-03-28
NLD-4000 (M) 原子層沉積系統(tǒng)
nld-4000(m)原子層沉積系統(tǒng)概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ald原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響,所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上
更新時(shí)間:2024-03-28
TF-1200-PECVD  等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
1、實(shí)驗(yàn)中心:提供免費(fèi)實(shí)驗(yàn)服務(wù)(特殊材料實(shí)驗(yàn)除外),幫助客戶了解電爐設(shè)備及實(shí)驗(yàn)物品的性能等參數(shù)。(新用戶限免費(fèi)實(shí)驗(yàn)1次,老用戶*)。2、技術(shù)咨詢:免費(fèi)為客戶提供電爐設(shè)備與實(shí)驗(yàn)材料相關(guān)的技術(shù)咨詢、常規(guī)技術(shù)服務(wù)等,設(shè)備配件更換,僅收成本費(fèi)。3、非標(biāo)訂制:可根據(jù)實(shí)際客戶需要訂制爐膛尺寸,配置相應(yīng)的對(duì)應(yīng)規(guī)格配件
更新時(shí)間:2023-09-01
ALD-05  美國(guó)SVT公司ALD原子層沉積系統(tǒng)
美國(guó)svt公司ald原子層沉積系統(tǒng)自1990年來(lái)薄膜淀積設(shè)備制造商。擁有獨(dú)立的室內(nèi)實(shí)驗(yàn)室用于材料研究和工藝開(kāi)發(fā)。提供廣泛的服務(wù),包括淀積設(shè)備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制設(shè)備制造和工藝技術(shù)的高度結(jié)合,為客戶提供的技術(shù)服務(wù)實(shí)驗(yàn)室7臺(tái)應(yīng)用淀積設(shè)備生長(zhǎng)出的材料多條設(shè)備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個(gè)薄膜淀積設(shè)備市場(chǎng)在薄膜淀積領(lǐng)域擁有超過(guò)120臺(tái)設(shè)備的供應(yīng)商。
更新時(shí)間:2021-11-25
上海到賀州物流專(zhuān)線G
上海到賀州物流專(zhuān)線 上海到賀州專(zhuān)業(yè)的物流/上海本耐物流有限公司〔021,6250,4748;400-697-cc〕
更新時(shí)間:2020-06-05
上海到青島搬家公司Q
上海到青島搬家公司上海到青島專(zhuān)業(yè)搬家/上海本耐物流有限公司〔400-697-cc;139,164,58442〕
更新時(shí)間:2020-06-05
全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
veeco(之前稱(chēng)之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué),05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu),并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止,veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn),全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
veeco(之前稱(chēng)之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué),05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu),并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止,veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn),全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
veeco(之前稱(chēng)之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué),05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu),并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止,veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn),全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)
veeco(之前稱(chēng)之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學(xué),05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購(gòu),并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止,veeco在ald設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn),全球已安裝五百多臺(tái)ald設(shè)備。
更新時(shí)間:2020-05-27
原子層沉積系統(tǒng)
此產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:半導(dǎo)體、納米材料、鈉米科技、薄膜材料、薄膜沉積以及航空航天領(lǐng)域。 picosun公司是一個(gè)國(guó)際化的設(shè)備制造商,在全球有銷(xiāo)售和服務(wù)機(jī)構(gòu).我們開(kāi)發(fā)和制造原子層沉積反應(yīng)器用于微米和納米技術(shù)應(yīng)用。picosun為客戶提供用戶友好,可靠及多產(chǎn)的ald工藝工具,提供從研發(fā)到生產(chǎn)的工業(yè)放大。picosun基地在芬蘭的espoo,美國(guó)總部在detroit。sunale型ald工藝工具被用于歐州、美國(guó)及亞洲前沿的科學(xué)機(jī)構(gòu)、公司。
更新時(shí)間:2020-05-26
脈沖電子束沉積系統(tǒng)
neocera公司的使命是為研究新型先進(jìn)薄膜材料和器件的科學(xué)家和工程師提供服務(wù)。我們通過(guò)以下手段來(lái)實(shí)現(xiàn)此目標(biāo):
更新時(shí)間:2020-05-26
PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)
ion beam assisted deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無(wú)規(guī)取向的基片或無(wú)定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù) 高性能的ibad(離子輔助沉積)系統(tǒng)
更新時(shí)間:2020-05-26
ALD原子層沉積系統(tǒng)
原子層沉積(atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
更新時(shí)間:2020-05-26
ALD小型原子層沉積系統(tǒng)
原子層沉積(atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子
更新時(shí)間:2020-05-26
咨詢wwwhj8828com153_0888-0855
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更新時(shí)間:2018-09-11
青海省汽車(chē)充電樁汽車(chē)充電樁汽車(chē)充電樁
汽車(chē)充電樁
更新時(shí)間:2017-10-21
高溫烘箱的廠家有哪些,具有更高的防爆烘箱廠家推薦
防爆烘箱
更新時(shí)間:2016-09-19
深圳北斗芯微科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)pcb線路板設(shè)計(jì),芯片解密和oem代工的的公司,主要從事:pcb layout;pcb改板,電路板克。ǔ澹;pcb轉(zhuǎn)原理圖,bom單制作; 各類(lèi)電路板制板;樣機(jī)制作、調(diào)試,pcb批量生產(chǎn),防抄板技術(shù),半成品加工,oem代工生產(chǎn),芯片解密等 。公司擁有一批具有多年線路板設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)精英,對(duì)多層pcb板有極 其詳盡透徹的了解,對(duì)含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板結(jié)構(gòu)及走線規(guī)則的 理解更是勝人一籌。無(wú)論是元件密集,遍布微帶線、等長(zhǎng)線的電腦主板、高端顯卡板、千兆網(wǎng)絡(luò)設(shè)備基板,或是對(duì)高頻處理要求苛刻,電磁兼容性控制嚴(yán)格的小靈通主板、手機(jī)主板、無(wú)線網(wǎng)卡、藍(lán)牙板、路由器及其他無(wú)線通訊設(shè)備,以及疊層多達(dá)30多層pcb板,盲孔埋孔密布的工控主板,我們都能依據(jù)客戶提供的一套完好樣板一次性克隆成功。
更新時(shí)間:2012-07-18
繼電保護(hù)測(cè)試儀器輔回路0316
繼電保護(hù)測(cè)試儀器輔回路0316
更新時(shí)間:2012-03-16

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